Der Antriebszulieferer Vitesco Technologies hat sich durch eine langfristige Partnerschaft mit Rohm Semiconductor Kapazitäten bei energieeffizienten Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid gesichert – im Wert von über einer Milliarde US-Dollar bis zum Jahr 2030.
Für jene Serienprojekte zu den Automobil-Invertern wurden die relevanten SiC-Chips im Rahmen der erwähnten Entwicklungspartnerschaft weiter optimiert. Vitesco-CEO Andreas Wolf bezeichnet die Partnerschaft in der Mitteilung als „wichtigen Baustein zur Absicherung der SiC-Kapazitäten von Vitesco Technologies in den kommenden Jahren“. „Wir haben in der Zusammenarbeit bisher sehr gute Erfahrungen gemacht und freuen uns, diese nun nicht nur fortzusetzen, sondern auch weiter zu intensivieren“, so Wolf.
Der deutsche Antriebs-Zulieferer setzt aber nicht exklusiv auf SiC-Halbleiter von Rohm Semiconductors: Ende Mai hatte Vitesco bereits mit Onsemi ein langfristiges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Produkte im Wert von 1,75 Milliarden Euro über zehn Jahre abgeschlossen. Auch hier geht es neben dem Kauf der Halbleiter um die gemeinsame Optimierung von Antriebsinvertern.
Siliziumkarbid ermöglicht mit seinen speziellen leitenden Eigenschaften die Herstellung von zugleich schnell und verlustarm schaltenden Chips für die Leistungselektronik. Gleichzeitig sind SiC-Chips thermisch widerstandsfähiger, so dass sich die Leistungsdichte einer Elektronik steigern lässt. Dank dieser Merkmale weisen SiC-Elektroniken gegenüber konventionellem Silizium (Si) verringerte Wandlungsverluste auf. Sprich: Von der im E-Auto-Akku gespeicherten Energie kommt mehr im Antrieb an – was die Reichweite erhöht oder umgekehrt bei gleicher Reichweite kleinere, leichtere und günstigere Akkus ermöglicht.
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