Mehrjahresvertrag geschlossen STMicroelectronics erhält für weitere Jahre SiC-Substratwafer aus Nürnberg
SiCrystal und STMicroelectronics haben den bestehenden Mehrjahres-Liefervertrag für 150-mm-SiC-Substratwafer erweitert. In Nürnberg werden in den kommenden Jahren Substratwafer mit einem Mindestwert von 230 Millionen US-Dollar hergestellt und an das unabhängige Halbleiterunternehmen geliefert.
Die voranschreitende Digitalisierung des Fahrzeugs und seines Cockpits, die Mobilitätswende und der damit verbundene Umstieg auf Elektromobilität, und der Gewinn von Strom auf Basis regenerativer Energien wie Windkraft und Solarstrom erfordern stetige Innovationen und Liefersicherheiten in der Halbleiterfertigung. Aber auch der zunehmende Bedarf an Bauelementen im Bereich der Leistungselektronik macht langfristige Liefervereinbarungen für Komponenten attraktiv.
Wenig verwunderlich ist da, dass SiCrystal, ein Unternehmen der Rohm-Gruppe, sowie STMicroelectronics (ST) einen bereits bestehenden Liefervertrag verlängert und ausgeweitet haben. Am 22. April 2024 gaben die Verantwortlichen von Rohm und STMicroelectronics die Übereinkunft bekannt.
SiC-Substratwafer aus Nürnberg
„SiCrystal ist ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, einem führenden Unternehmen im Bereich SiC, und stellt seit vielen Jahren SiC-Substratwafer her. Wir freuen uns sehr, diese Liefervereinbarung mit unserem langjährigen Kunden ST zu verlängern. Wir werden unseren Partner weiterhin bei der Ausweitung des SiC-Geschäfts unterstützen, indem wir die Mengen an 150-mm-SiC-Substratwafern kontinuierlich erhöhen und stets zuverlässige Qualität liefern“, so Dr. Robert Eckstein, Präsident und CEO von SiCrystal.
SiC-Substrate bieten eine höhere Leistungsdichte, geringere Schaltverluste, eine bessere Temperaturstabilität und ermöglichen den Betrieb bei höheren Frequenzen im Vergleich zu Silizium-Substraten. SiC wird deswegen für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik, Solarenergie, Elektrofahrzeugen und Hochfrequenztechnik als überlegen angesehen. (sb)
