Infineon Technologies und Stellantis haben als ersten Schritt zu einer möglichen mehrjährigen Lieferkooperation für Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) ein nicht-bindendes Memorandum of Understanding unterzeichnet. Abrufen könnte Stellantis das Volumen in einigen Jahren.
Konkret werden die Modelle CoolSiC Gen2p 1200 V und CoolSiC Gen2p 750 V genannt, die Teil der Gespräche zwischen Infineon und Stellantis sind. Eine einheitliche Beschaffung der Halbleiter würde auch zur Stellantis-Strategie passen, Plattformen zu standardisieren, zu vereinfachen und zu modernisieren. Der Autobauer plant künftig mit vier STLA-Plattformen für Elektroautos, die vom Kleinwagen bis zum schweren US-Pickup alle Segmente bedienen sollen.
Halbleiter aus Siliziumkarbid sind nochmals kleiner und vor allem effizienter als Halbleiter auf Silizium-Basis. Dank ihres höheren Wirkungsgrads wird nicht nur mehr Energie übertragen, sondern es entsteht dabei weniger Abwärme – weshalb in der Folge zum Beispiel auch das Kühlsystem kleiner und leichter werden kann, was im Gesamtsystem den Energiebedarf weiter senkt.
In der Mitteilung zu der Absichtserklärung mit Stellantis gibt Infineon noch an, dass im Jahr 2024 eine neue Fabrik für SiC-Technologien in Kulim, Malaysia, die Produktion aufnehmen soll. Es könnte aber auch eine weitere Produktion in Deutschland geben: Infineon hat auch Pläne für den Bau einer neuen Chipfabrik in Dresden angekündigt, um seine 300-Millimeter-Fertigungskapazitäten weiter auszubauen. Voraussetzung für die Investitionsentscheidung sei allerdings eine „angemessene öffentliche Förderung“. Die geplante Investitionssumme von fünf Milliarden Euro wäre die größte Einzelinvestition in der Geschichte von Infineon.
infineon.com (Stellantis-MoU), infineon.com (Q3-Geschäftsbericht als PDF mit Dresden-Plänen)
